通過(guò)電路符號(hào)認(rèn)知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

硬件有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫(huà)一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET，然而，無(wú)論是經(jīng)驗(yàn)不多的新工程師還是經(jīng)驗(yàn)豐富的老工程師，多數(shù)情況下還真不能完全正確的把這個(gè)器件的原理符號(hào)畫(huà)出來(lái)，甚至畫(huà)的五花八門(mén)。

但是想想也很簡(jiǎn)單，因?yàn)槠骷脑矸?hào)在一定程度上代表著其工作原理，只要理解簡(jiǎn)單原理就很容易畫(huà)出來(lái)，并且不會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤，這里我總結(jié)了3點(diǎn)，希望對(duì)大家有所幫助。

 

1、對(duì)于增強(qiáng)型N溝道和P溝道MOSFET：從 溝道線 （虛線）、電子運(yùn)動(dòng)方向箭頭，門(mén)極電壓去理解即可，其中前兩項(xiàng)最容易混淆。以下文字描述較多但很簡(jiǎn)單，圖片也已標(biāo)明了要點(diǎn)。

N溝道MOSFET：

（1）虛線：代表導(dǎo)電溝道，同時(shí)也表示在門(mén)極不加電壓的情況下，導(dǎo)電溝道是斷開(kāi)狀態(tài)，器件不導(dǎo)通，器件是常閉狀態(tài)，虛線的含義就是表示斷開(kāi)。

（2）向內(nèi)的箭頭：表示了加上柵極電壓后溝道中電子運(yùn)動(dòng)方向，電子向內(nèi)被吸引，從而溝道被電子填充形成電子型導(dǎo)電溝道-N溝道。

（3）VGS電壓：柵極G-源極S施加大于開(kāi)通閾值的正電壓，正電壓的電場(chǎng)力吸引電子，排斥空穴，從而讓源極S填充電子，形成D-S的電子導(dǎo)電溝道

N溝道MOSFET

P溝道MOSFET：

（1）虛線：代表導(dǎo)電溝道，同時(shí)也表示在門(mén)極不加電壓的情況下，導(dǎo)電溝道是斷開(kāi)狀態(tài)，器件不導(dǎo)通，器件是常閉狀態(tài)，虛線的含義就是表示斷開(kāi)。

（2）向外的箭頭：表示了加上柵極電壓后溝道中電子運(yùn)動(dòng)方向，電子向外被排斥運(yùn)動(dòng)，空穴被吸引至溝道，從而溝道被空穴填形成空穴型導(dǎo)電溝道-P溝道。

（3）VSG電壓：源極S-柵極G施加大于開(kāi)通閾值的正電壓，正電壓的電場(chǎng)力吸引空穴，排斥電子，從而讓源極S填充空穴，形成S-D的空穴導(dǎo)電溝道

P溝道MOSFET圖解

2、對(duì)于耗盡型溝道的MOSFET，區(qū)別在于溝道線是實(shí)線，表示在門(mén)極不加電壓的情況下，導(dǎo)電溝道已經(jīng)形成，器件是常開(kāi)狀態(tài)，實(shí)線的含義就是表示閉合。

耗盡型MOSFET

增強(qiáng)型MOSFET我們?cè)?a target="_blank">電路設(shè)計(jì)中用的最多，需要掌握。