中國電子芯片產(chǎn)業(yè)集中爆發(fā) 三星/臺(tái)積電搶著代工

韓國三星電子（Samsung）近日在上海舉辦技術(shù)論壇，本次會(huì)議主要議題是宣布其新的晶圓代工策略，同時(shí)也是為爭(zhēng)取大陸IC設(shè)計(jì)廠代工訂單。三星指出，預(yù)計(jì)今年底10納米可以上線，7納米制程將采用最先進(jìn)的極紫外光（EUV）微影技術(shù)，并將針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子提供低功耗的28納米FD-SOI制程。

　　同時(shí)，三星原本只生產(chǎn)自有芯片的8寸晶圓廠，現(xiàn)在也將開放并爭(zhēng)取模擬IC或LCD驅(qū)動(dòng)IC等晶圓代工訂單。

　　臺(tái)灣晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電、力晶等已分別以獨(dú)資或合資方式在大陸建造晶圓代工廠，三星電子在中國的最大投資是西安的閃存制造廠，并沒有在大陸設(shè)立晶圓代工廠的計(jì)劃。

　　三星的晶圓代工晶圓廠主要有三個(gè)廠址，包括位于韓國的8寸晶圓廠S1、位于美國得州的12寸晶圓廠S2、以及位于韓國京畿道華城市的12寸晶圓廠S3。另外，三星也將與臺(tái)積電一樣，提供后段封測(cè)服務(wù)。而三星預(yù)估今年包含晶圓代工的月產(chǎn)能將達(dá)13.5～14萬片12寸晶圓及19萬片8寸晶圓，且預(yù)估至2017年底產(chǎn)能將擴(kuò)充約15%。

　　隨著臺(tái)積電宣布今年底將量產(chǎn)10納米制程，2018年開始量產(chǎn)7納米制程，三星也在技術(shù)論壇中說明先進(jìn)制程布局，包括今年底可望開始進(jìn)行10納米試產(chǎn)，但將跳過采用浸潤式微影技術(shù)的7納米，直接推出采用EUV微影技術(shù)的7納米，預(yù)計(jì)至2018年底EUV技術(shù)可在250W光源下每天生產(chǎn)1500片晶圓。三星認(rèn)為，7納米采用EUV可以更好控制成本，有助于爭(zhēng)取先進(jìn)制程晶圓代工訂單。

　　三星認(rèn)為在中國國內(nèi)的移動(dòng)支付、無人機(jī)、電動(dòng)車、自駕車等供應(yīng)鏈有很好的創(chuàng)新，也將帶來新機(jī)會(huì)，所以除了支持先進(jìn)制程，也將在明年第二季開始，提供可支持物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的28納米FD-SOI制程。同時(shí)，三星也將開放8寸廠產(chǎn)能，配合本身在內(nèi)存市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)提供65納米嵌入式閃存（eFlash）制程，以及70納米高壓制程，爭(zhēng)取大陸市場(chǎng)模擬IC、CMOS圖像感測(cè)器、LCD驅(qū)動(dòng)IC等代工訂單。